长鑫存储，创立于2016年，是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。长鑫存储总部位于安徽合肥，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储晶圆制造基地项目共分为三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂，打造集研发、生产和销售于一身的存储器IDM国产化基地。

项目介绍

本次项目为肥西电子信息产业园项目，位于肥西经开区创新大道与紫蓬山路交口，项目总投资10.5亿，包含研发楼和生产楼，是先进的半导体产品封装测试工厂。

解决方案

此次项目的生产区为无尘洁净生产车间，为确保生产过程不受干扰，布线系统主要在吊顶钢板上层空间进行设计安装。项目团队按区域在吊顶上部署机柜，水平铜缆经由架空的布线槽引至各生产设备上方，再通过垂直穿线管下连到生产设备的网络端口。布线环境复杂，施工难度较大。为确保生产信息系统的稳定可靠与先进性，评审团队对项目新需求进行了全面且细致的分析。在经过多轮严格的样品测试与评审后，充分权衡了产品方案的可行性、性能优势以及售后支持能力，最终决定引入引澜的整体综合布线解决方案。

铜缆系统

屏蔽线缆：

生产区采用23AWG低烟无卤超六类线对屏蔽双绞线，引澜双绞线采用高精度拉丝生产设备，精度偏差仅为±0.003 mm，保证了线芯导体的一致性和稳定性。相比F/UTP线对总屏蔽结构，U/FTP线对屏蔽可以减少屏蔽每对线之间的干扰，更好地提升铜缆的传输性能。

屏蔽模块：

采用高性能超六类屏蔽模块，Pin针采用50u"镀金，满足超六类六连接点通道测试；通过TUV认证的IEE60512-99-002标准，满足PoE++性能要求；通过UL认证单体认证，每个模块带有单独UL标签和可拆卸的防尘盖；IDC端子采用自锁式结构，后座采用塔式结构，便于打线和卡接。

助插拔跳线：

采用助插拔式RJ45跳线，延长弹片便于高密度环境中插拔操作；组装式结构无需高温注塑，提升跳线单体性能，符合跳线单体测试标准；两端SN线身标，用于现场跳接识别和质量回溯。   

光缆系统

室外光缆：

采用多芯室外铠装光缆，金属铠装结构不仅能有效抵御外界的机械损伤，如施工过程中的拉扯、挤压，还具备良好的防水、防潮能力。并且性能优于IEC60794和YD/T 901等国际国内标准，为园区建筑之间互连提供可靠保障。

铸芯聚力 · 共创辉煌

项目建成后，对于推动中国在高端芯片产业上逐步实现独立自主、带动上下游产业链的国产化具有重要意义，将进一步提升长三角地区集成电路产业竞争力，引领全国城市集成电路产业发展。引澜，作为优秀国产综合布线品牌，将持续为建设中国“芯”贡献微薄之力。